第二百二十六章 进击的新芯科技

索尼在当下属于不折不扣的消费电子龙头,在所有涉及的领域都有着极强的影响力,几乎都能排到前五。

给苹果做解码芯片,从几百万片的数量到几千万片,而给索尼做,如果能够进入索尼的主流生产线,一开始就能够到上千万的量,索尼的产品在2000年代压根不存在卖不出去这种可能性。

似乎只要把产品做出来了,就会有消费者愿意买单。

即便到了二十年后,索尼的智能手机在全球市场没有声量,但是在其他消费电子领域依然有索尼的一席之地。

因此关建英很希望和索尼达成长期的合作关系,加上他认为新芯科技和索尼达成合作具备天然的基础。

之前索尼和新芯科技围绕着蓝牙芯片就展开过合作,加上索尼自己旗下有着大大小小的第一方游戏工作室,一直都是拳头游戏和Mphone的合作伙伴。

因此双方是存在互信基础在的。

对关建英个人而言,新芯科技之前的销售网络全部依赖于周新的商业版图,他作为新芯科技的副总裁并没有在商业关系合作上发挥太大作用,没有把他前二十年的芯片从业经验最大程度利用起来。

关建英也希望以和索尼集团的全面合作为契机,让新芯科技在移动芯片领域的影响力再上一个台阶。

并且他有信心,索尼的掌机选择新芯的话,任天堂也手到擒来。

最了解你的永远是你的竞争对手,索尼选择了新芯科技,只要新芯的价格合适,任天堂没有拒绝的理由。

能够同时成为索尼和任天堂的合作伙伴,这也意味着新芯在掌机领域成为最重要的芯片供应商之一了。

中村末广面露难色:“关桑,你知道的我只是半导体事业部的部长,别说索尼集团,我连索尼游戏都没有决定权。

你和我谈这个,多少有点超过我的管辖范围了。”

中村末广在索尼研发部门的地位很高,准确来说中村在整个索尼体系里地位都很高。但是他在不久后会被边缘化,因为索尼的半导体事业部在PSP芯片研发上犯了严重的失误。

这一失误导致索尼的PSP掌机最大的短板出现在了芯片上。

关建英说:“中村,我知道你的意思,这次来我也是有事想提醒你,你之前说过你们想使用东芝最先进的90nm工艺,采用90nm工艺能够提高不少性能。

但是根据新芯研究部门的研究结果表明,如果采取90nm工艺,但是在超低K值介电材料的研发没有跟上的话,会造成严重的漏电流问题。

该问题导致采用先进制程,功耗不但没有降低,反而还增加了。”

后来很多厂商在从0.13微米进入90nm的时候都遇到了类似的问题,超低K值介电材料导致的漏电问题,以至于英特尔直接跳过了90nm节点,进入到了0.65nm的节点。

中村末广也正是因为这一失误,而被边缘化了,然后没有多久被发配到以他名字命名的中村研究所了。

正是因为索尼PSP芯片的漏电问题,导致首批PSP芯片明明能跑到333MHz,但是受限于漏电问题,导致最高只能跑到222MHz。

当时索尼甚至专门发布了公告:2006年3月前生产的PSP,CPU跑在222MHz,2006年3月后生产的,CPU可以跑在366MHz,用户可以自行选择。

中村末广眼睛眯了起来:“关桑,新芯在移动芯片领域的造诣深厚,你们的A1E芯片已经把130nm制程发挥到了极限,甚至比我们通过90nm制程设计的芯片性能还要更好。

我们的研发部门一直想绕开新芯的专利都没办法做到,我很相信新芯科技在这一领域的实力,但是新芯科技目前用过最先进的制程应该就只有130nm吧?

目前市面上还没有芯片代工厂商开始大规模推90nm制程的芯片,我们的芯片也才在索尼和东芝共建的晶圆厂少量生产。

你们怎么知道存在这种问题的?”

中村很谨慎,大家关系好归关系好,他也不希望看到索尼被新芯科技渗透的和筛子一样。

关建英说:“因为我们即将推出的第二代Mphone也将采用90nm的工艺,离第一代Mphone已经过去两年时间了,Matrix之所以没有发布新一代Mphone,很大一部分原因是因为芯片性能还没有实现突破。

我们在和IBM、德州仪器、三星这些芯片生产厂商合作的时候,新芯科技的A2系列芯片在流片的时候普遍发现超低K值介电材料会存在漏电流的问题。

所以之前你一和我们说索尼新一代掌机要采取最先进的芯片技术,我就猜到了你们同样会面临这一问题。”

中村心想,原来是我泄露的吗?我只是说了这么含糊的一句,关桑就推测出了这么多东西?

他内心不由得一阵佩服,然后连忙问:“新芯科技遇到了同样的问题,看来关桑是想到了解决方法?”

中村末广显然格外上心,要是PSP的芯片出了问题,那死的第一个就是他。

关建英点头:“新芯科技从两年前开始着手超低K介电材料的应用,目前推出了新一代氧化硅技术可以解决这个问题。

我们把它叫做Black Diamond薄膜,它的有效介电常数会小于3.0,同时采取新芯科技独有的双镶嵌工艺后,可以将电容值降低25%到35%之间。”

这是新芯科技在硅谷的研发中心的成果,准确来说周新在成功卖掉quora之后在硅谷成立了研发中心,有软件层面的研发中心也有半导体领域的研发中心。

其中超低K介电材料就是半导体研发中心过去两年重要研发课题之一,因为周新天然知道超低K介电材料未来在半导体材料中会越来越重要,并且他也大致知道阿美利肯的应用材料公司是如何解决这个问题的。

低k介质在超大规模集成电路中,随着器件集成度的提高和延迟时间进一步减小,需要它作为绝缘材料,以保证器件的高速性能并控制能耗。而随着芯片体积的缩小,对低K介质的要求也越来越高。

这在未来大A的半导体市场研报中叫做半导体前驱体材料中的低K前驱体材料。

有领导性的思想作指引,新芯科技在硅谷的研发中心进展很快,基于90nm制程的black diamond技术已经研发完成了,这一技术说白了就是在氧化硅里掺碳,同时采取双镶嵌工艺可以完美解决低介电质薄膜间以及低介电质薄膜与金属连线间的界面结合问题,使低介电质薄膜间的粘着系数大为提高。

中村连连赞叹:“真是了不起的新芯科技,在这一领域之前一直被应用材料公司所垄断,没想到新芯科技在如此短时间内就能够实现技术上的突破。”

应用材料是半导体领域最重要的原材料和设备公司,是很多上游材料的最大供应商,也是第一家进入华国的芯片设备公司。